I allmänhet olika typer av elektriska och elektroniska komponenter såsom transistorer, integrerade kretsar , mikrokontroller, transformatorer, regulatorer, motorer, gränssnittsanordningar, moduler och baskomponenter används (enligt krav) för att utforma olika el- och elektronikprojekt. Det är viktigt att känna till hur varje komponent fungerar innan du använder den praktiskt i kretsapplikationer. Det är mycket utmanande att diskutera i detalj om allt viktiga komponenter i elektronik i en enda artikel. Låt oss därför diskutera i detalj om korsningsfälteffekttransistor, JFET-egenskaper och dess funktion. Men i första hand måste vi veta vad som är fälteffekttransistorer.
Fälteffekttransistorer
I halvledarelektronik gjordes en revolutionerande förändring med uppfinningen av transistorn och erhålls från orden överföringsmotstånd. Från själva namnet kan vi förstå hur transistorn fungerar, dvs. överföringsmotstånd. Transistorerna klassificeras i olika typer, såsom a fälteffekt transistor , bipolär korsningstransistor, och så vidare.
Fälteffekttransistorer
Fälteffekttransistorer (FET) kallas vanligtvis som unipolära transistorer eftersom dessa FET-operationer är inblandade i enbärartyp. Fälteffekttransistorerna kategoriseras i olika typer, såsom en MOSFET, JFET, DGMOSFET, FREDFET, HIGFET, QFET och så vidare. Men endast MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) och JFETs (Junction Field Effect Transistors) används vanligtvis i de flesta applikationer. Så innan vi diskuterar i detalj om korsningsfälteffekttransistor måste vi först och främst veta vad som är JFET.
Junction Field Effect Transistor
Junction Field Effect Transistor
Som vi diskuterade tidigare är kopplingsfälteffekttransistor en typ av FET som används som en omkopplare som kan styras elektriskt. Genom den aktiva kanalen kommer elektrisk energi att strömma mellan källterminalen och avloppsterminalen. Om grindterminalen försörjs med omvänd förspänning, kommer strömmen att vara helt avstängd och kanalen blir ansträngd. Korsningsfälteffekttransistorn klassificeras vanligtvis i två typer baserat på deras polaritet och de är:
- N-kanal korsningsfälteffekttransistor
- P-Channel korsning fält effekt effekt
N-Channel Junction Field Effect Transistor
N-kanal JFET
JFET där elektroner huvudsakligen är sammansatta som laddningsbärare kallas NF-kanal JFET. Därför, om transistorn är påslagen, kan vi säga att strömflödet främst beror på rörelse av elektroner .
P-Channel Junction Field Effect Transistor
P-Channel JFET
JFET i vilken hål huvudsakligen är sammansatta som laddningsbärare kallas P-kanal JFET. Om transistorn är påslagen kan vi därför säga att strömflödet främst beror på hålen.
Arbeta med JFET
Drift av JFET kan studeras separat för både N-kanal och P-kanal.
N-kanals drift av JFET
Arbetet med JFET kan förklaras genom att diskutera hur man slår på N-kanal JFET och hur man stänger av N-kanal JFET. För att sätta PÅ en N-kanal JFET måste positiv spänning av VDD appliceras på avloppsterminalen på transistorn w.r.t (med avseende på) källterminal så att avloppsterminalen måste vara lämpligen mer positiv än källterminalen. Således tillåts strömflöde genom avloppet till källkanalen. Om spänningen vid grindterminalen, VGG är 0V, kommer det att finnas maximal ström vid avloppsterminalen och N-kanal JFET sägs vara i ON-tillstånd.
N-kanals drift av JFET
För att stänga av N-kanal JFET kan den positiva förspänningen stängas av eller en negativ spänning kan appliceras på grindterminalen. Genom att ändra grindspänningens polaritet kan således dräneringsströmmen reduceras och sedan sägs N-kanal JFET vara i OFF-tillstånd.
P-Channel-drift av JFET
För att slå P P-kanal JFET på kan negativ spänning appliceras över avloppsterminalen på transistorn w.r.t-källterminalen så att avloppsterminalen måste vara lämpligt mer negativ än källterminalen. Således tillåts strömflödet genom avloppet till källkanalen. Om spänning vid grindterminalen , VGG är 0V, då kommer det att finnas maximal ström vid avloppsterminalen och P-kanal JFET sägs vara i ON-tillstånd.
P-Channel-drift av JFET
För att stänga av P-kanal JFET kan den negativa förspänningen stängas av eller positiv spänning kan appliceras på grindterminalen. Om grindterminalen ges positiv spänning börjar avloppsströmmarna minska (tills avstängning) och därmed sägs P-kanal JFET vara i OFF-tillstånd.
JFET-egenskaper
JFET-egenskaperna kan studeras för både N-kanal och P-kanal som diskuteras nedan:
N-Channel JFET-egenskaper
N-kanalens JFET-egenskaper eller transkonduktanskurvan visas i figuren nedan, vilken är ritad mellan avloppsström och grindkällspänning. Det finns flera regioner i transkonduktanskurvan och de är ohmiska, mättnads-, cutoff- och nedbrytningsregioner.
N-Channel JFET-egenskaper
Ohmisk region
Den enda regionen i vilken transkonduktanskurvan visar linjärt svar och dräneringsströmmen motsätts av JFET-transistormotståndet kallas ohmisk region.
Mättnadsregion
I mättnadsregionen är N-kanalens övergångsfälteffekttransistor i PÅ-tillstånd och aktiv, eftersom maximal ström flyter på grund av den applicerade grindkällspänningen.
Cutoff Region
I detta avstängningsområde kommer ingen dräneringsström att strömma och därför är N-kanalens JFET i OFF-tillstånd.
Fördelningsregion
Om VDD-spänningen som appliceras på avloppsterminalen överstiger den maximalt nödvändiga spänningen misslyckas transistorn att motstå strömmen och därmed strömmar strömmen från avloppsterminalen till källterminalen. Därför går transistorn in i nedbrytningsregionen.
P-Channel JFET-egenskaper
P-kanalens JFET-karakteristik eller transkonduktanskurva visas i figuren nedan, vilken är ritad mellan dräneringsström och grindkällspänning. Det finns flera regioner i transkonduktanskurvan och de är ohmiska, mättnads-, cutoff- och nedbrytningsregioner.
P-Channel JFET-egenskaper
Ohmisk region
Den enda regionen i vilken transkonduktanskurvan visar linjärt svar och dräneringsströmmen motsätts av JFET-transistormotståndet kallas ohmisk region.
Mättnadsregion
I mättnadsregionen är N-kanalens övergångsfälteffekttransistor i PÅ-tillstånd och aktiv, eftersom maximal ström flyter på grund av den applicerade grindkällspänningen.
Cutoff Region
I detta avstängningsområde kommer ingen dräneringsström att strömma och därför är N-kanalens JFET i OFF-tillstånd.
Fördelningsregion
Om VDD-spänningen som appliceras på avloppsterminalen överstiger den maximalt nödvändiga spänningen misslyckas transistorn att motstå strömmen och därmed kommer strömmen att strömma från avloppsterminalen till källterminalen. Därför går transistorn in i nedbrytningsregionen.
Vill du lära känna de praktiska tillämpningarna av korsningsfälteffekttransistor vid design elektronikprojekt ? Lägg sedan upp dina kommentarer i kommentarfältet nedan för ytterligare teknisk hjälp.
