BJT uppfanns 1948 av William Shockley, Brattain och John Bardeen som inte bara har omformat elektronikvärlden utan också i vårt dagliga liv. De bipolära korsningstransistorerna använd båda laddningsbärarna som är elektroner och hål. Likgiltighet de unipolära transistorerna, såsom fälteffekt-transistorer, använder bara en typ av laddningsbärare. För driftändamålet använder BJT två halvledartyp n-typ och p-typ mellan två korsningar. Den huvudsakliga grundfunktionen för en BJT är att förstärka strömmen, så att BJT används som förstärkare eller switchar för att producera bred tillämpbarhet i elektronisk utrustning, inklusive mobiltelefoner, industriell kontroll, TV och radiosändare. Det finns två olika typer av BJT: er, de är NPN och PNP.

Vad är en BJT?

Den bipolära övergångstransistorn är en halvledarenhet och i BJT: erna är strömflödet i två terminaler, de är emitterande och samlare och mängden ström styrs av den tredje terminalen dvs basterminalen. Det skiljer sig från den andra typen av transistor, dvs. Fält-effekt transistor vilken är utströmmen styrs av ingångsspänningen. Grundsymbolen för BJTs n-typ och p-typ visas nedan.

Bipolära korsningstransistorer

Typer av bipolära anslutningstransistorer

Som vi har sett en halvledare erbjuder mindre motstånd mot flödesström i en riktning och högt motstånd är en annan riktning och vi kan kalla transistor som halvledarens enhetsläge. De bipolära övergångstransistorerna består av två typer av transistorer. Vilket, givet oss

Punktkontakt
Korsningstransistor

Genom att jämföra två transistorer används övergångstransistorerna mer än transistorer av punkttyp. Vidare klassificeras övergångstransistorerna i två typer som anges nedan. Det finns tre elektroder för varje övergångstransistor de är emitter, kollektor och bas

PNP-korsningstransistorer
NPN-korsningstransistorer

PNP Junction Transistor

I PNP-transistorerna är sändaren mer positiv med bas och även med avseende på samlaren. PNP-transistorn är en treterminalenhet som är tillverkad av halvledarmaterial . De tre terminalerna är kollektor, bas och emitter och transistorn används för att växla och förstärka applikationer. Funktionen för PNP-transistorn visas nedan.

Generellt är kollektorterminalen ansluten till den positiva terminalen och emittern till en negativ matning med ett motstånd antingen emitter- eller kollektorkretsen. Till basterminalen matas spänningen och den driver transistorn som ett PÅ / AV-tillstånd. Transistorn är i OFF-läge när basspänningen är densamma som emitterspänningen. Transistormodet är i PÅ-läge när basspänningen minskar med avseende på sändaren. Genom att använda den här egenskapen kan transistorn fungera på båda applikationer som switch och förstärkare. Det grundläggande diagrammet för PNP-transistorn visas nedan.

NPN Junction Transistor

NPN-transistorn är precis motsatt PNP-transistorn. NPN-transistorn innehåller tre terminaler som är desamma som PNP-transistorn som är emitter, kollektor och bas. Funktionen för NPN-transistorn är

Generellt ges den positiva matningen till kollektorterminalen och den negativa matningen till emitterterminalen med ett motstånd antingen emittern eller kollektorn eller emitterkretsen. Till basterminalen matas spänningen och den drivs som ett ONN / OFF-tillstånd för en transistor. Transistorn är i OFF-läge när basspänningen är densamma som emittern. Om basspänningen ökas i förhållande till sändaren är transistormodet i PÅ-tillstånd. Genom att använda detta tillstånd kan transistorn fungera som båda applikationerna som är förstärkare och switch. Grundsymbolen och NPN-konfiguration som visas nedan.

“hur fungerar ett nätverkskort ”

PNP & NPN Junction Transistor

Hetero bipolär korsning

Den Hetero bipolära korsningstransistorn är också en typ är den bipolära korsningstransistorn. Den använder olika halvledarmaterial till emitter- och basregionen och producerar heterojunction. HBT kan hantera singlar med mycket höga frekvenser på flera hundra GHz, i allmänhet används den i ultrasnabba kretsar och används mest i radiofrekvens. Dess applikationer används i mobiltelefoner och RF-förstärkare.

Arbetsprincip för BJT

BE-korsningen är framåtriktad och CB är en omvänd bias-korsning. Bredden på utarmningsområdet för CB-korsningen är högre än BE-korsningen. Den främre förspänningen vid BE-korsningen minskar barriärpotentialen och producerar elektroner som strömmar från sändaren till basen och basen är en tunn och lätt dopad, den har mycket få hål och mindre mängd elektroner från sändaren cirka 2% den rekombineras i basområdet med hål och från basterminalen kommer det att rinna ut. Detta initierar basströmflödet på grund av kombinationen av elektroner och hål. Det kvarvarande stora antalet elektroner kommer att passera korsningen för omvänd förspänning för att initiera kollektorströmmen. Genom att använda KCL vi kan observera den matematiska ekvationen

Jag_ÄR= Jag_B+ Jag_C

Basströmmen är mycket mindre jämfört med emitter- och kollektorström

Jag_ÄR~ Jag_C

Här är PNP-transistorns funktion densamma som NPN-transistorn. Den enda skillnaden är bara hål istället för elektroner. Nedanstående diagram visar PNP-transistorn för regionen för aktivt läge.

Arbetsprincip för BJT

Fördelar med BJT

Hög körförmåga
Högfrekvent drift
Den digitala logikfamiljen har en emitterkopplad logik som används i BJT: er som en digital switch

Tillämpningar av BJT

Följande är de två olika typerna av applikationer i BJT som de är

Växlande
Förstärkning

Denna artikel ger information om vad som är en bipolär övergångstransistor, typer av BJT, fördelar, tillämpningar och egenskaper hos de bipolära övergångstransistorerna. Jag hoppas att informationen i artikeln är till hjälp för att ge bra information och förståelse för projektet. För vidare, om du har några frågor angående den här artikeln eller på elektriska och elektroniska projekt du kan kommentera i avsnittet nedan. Här är en fråga för dig, om transistorer används i digitala kretsar fungerar de i allmänhet i vilken region?