Inlägget förklarar de viktigaste specifikationerna och pinoutsna för en liten signal, lågeffekt N-kanal mosfet 2N7000G.
Mosfets vs BJTs
När vi pratar om mosfeter associerar vi det normalt med högström, högspänning och med högeffektapplikationer.
Precis som vanliga BJT: er finns också små signalmostar tillgängliga som kan användas lika effektivt som deras BJT-motsvarigheter.
Mosfets är populära för sin extremt höga leveransfunktion men ändå mindre med sina övergripande dimensioner.
Till skillnad från BJT: erna skulle mosfets hantera enorma strömmar och spänningar utan att bli större i storlek och utan att involvera mellanliggande buffertsteg eller högströmsdrivsteg.
Hur Mosfet utlöses
Den största fördelen med att använda en mosfet är att den kan utlösas som önskat för att manövrera en viss belastning oavsett grinddrivströmmen.
Ovanstående funktion gör det möjligt att utlösa mosfetter direkt från källor med låg ström, t.ex. CMOS- eller TTL-utgångar utan behov av buffertsteg, en stor skillnad jämfört med BJT.
Ovanstående funktion gäller även små signalmosfeter som kan bytas ut direkt för små signal-BJT, såsom en BC547 för att få mycket effektiva resultat. En sådan liten signal mosfet datablad, specifikation diskuteras här.
Det är N-kanal 2N7000G-mosfet, som vanligtvis passar för små signalapplikationer i intervallet 200mA och 60V maximalt.
On-state-motståndet över dess avlopps- och källterminaler är vanligtvis runt 5 ohm. Huvudfunktionerna i den här lilla signalen med låg effekt är listade nedan:
Huvudsakliga elektriska funktioner:
Dränering till källspänning Vdss = 60V DCGate till källspänning Vgs = +/- 20V DC, +/- 40V DC topp ej repetitiv, högst 50 mikrosekund Dräneringsström Id = 200mA DC kontinuerlig, 500mA pulserad
Total effektförlust Pd vid Tc = 250 C (korsningstemp) = 350 mW Pinouts och paketdetaljer kan ses här:
Tidigare: Lågpassfilterkrets för subwoofer Nästa: 10 Band Graphic Equalizer Circuit
